功率電路采用大功率雙H橋電路，上半橋使用P溝道功率MOSFET IRF9540，下半橋使用N溝道功率MOSFET IRF540。這樣可以滿足驅(qū)動母線電源電壓為85V、相電流7A的步進電機的要求。而且采用這種結(jié)構(gòu)，可以簡化驅(qū)動電路電源的設(shè)計，因為再不需要多個隔離的驅(qū)動電源，可以使母線電源與驅(qū)動電源共地。

對于上橋P溝道功率MOSFET的柵極驅(qū)動采用由NPN和PNP三極管構(gòu)成的互補式驅(qū)動電路，使 MOSFET輸入電容充放電電路的電阻都很小，加速了功率管的通斷。并通過并接一個13V的穩(wěn)壓二極管，使得當母線電壓較高時鉗位MOSFET的柵源驅(qū)動電壓，以避免其超過柵源擊穿電壓。

而對于下橋N溝道功率MOSFET的柵極驅(qū)動采用簡單的NPN三極管驅(qū)動放大電路，這樣改善了MOSFET的開通過程，而且減少了驅(qū)動電源的功率;并在三極管的基極與發(fā)射極反并聯(lián)二極管，這樣就為輸入電容提供了放電回路，加速了功率管的關(guān)斷過程。

當驅(qū)動電路直接來驅(qū)動功率 MOSFET時會引起被驅(qū)動功率MOSFET的快速開通和關(guān)斷，這就有可能造成被驅(qū)動功率MOSFET漏源極間電壓的振蕩。這樣，一則會引起射頻干擾;二則有可能造成功率MOSFET遭受過高的 而擊穿損壞。為解決這一問題，采用在被驅(qū)動功率MOSFET的柵極與驅(qū)動電路的輸出之間串聯(lián)一個15 的無感電阻。具體的上、下半橋驅(qū)動電路分別如圖3和圖4所示。L297輸出的載有斬波信號的INH1、INH2，與時序邏輯信號A、B、C、D經(jīng)過邏輯門電路的恰當組合，產(chǎn)生PWM1和PWM2信號，作為驅(qū)動電路的斬波信號輸入端。